ASML：现有技术能充分利用1nm工艺

IT之家 5 月 17 日假消息，为了合理化光在推进科学进步反复中的关键性作用，世界遗产名录将每年的 5 月 16 日定为“该协会光日”。5 月 13 日，ASML 在一篇公众号文章中称作，现有核心技术能做到 1nm 材料，的发展可继续终止十年甚至格外间歇。

ASML 称作，在半导体应用领域，的发展 —— 这一诞生于 1965 年的展望推断，就扮演着如同光一样的角色，指引晶片研发的这样的话创意与突破。在过去的 50 多年里，的发展不断重构。霍尔关于以最小已成本研发复杂晶片的早先得出结论，也在重构反复中被转述已成各种各样的阐释，今天这个相对论最常被阐释为半导体晶片平方英尺的器件使用量呈倍数增长。1975 年，霍尔修正了自己的得出结论：器件使用量缩减到的时间从早先的一年上升到两年。

IT之家了解到，霍尔认为，增加晶片占地、增加元件大小以及优化器件电路设计是做到器件使用量缩减到的三个关键性因素所。

ASML 称作，在过去的 15 年里，很多创意方法使的发展几乎终止且状况良好。从整个行业的拓展线来看，它们将在将来十年甚至格外间歇内让的发展继续保有这种迅速。在元件多方面，目前的核心技术创意充足将晶片的MOS推进至至少 1 单晶节点，其中之外 gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及 complementary FETs 等诸多展望核心技术。此外，光刻系统精度的加以改进（预计每 6 年左右增加 2 倍）和边缘放置误差（EPE）对灵敏度的计量也将大幅度推动晶片大小增加的做到。

ASML 称作，只要我们还有想法，的发展就会继续终止。