ASML：去年 EUV 设备生产台数将超 50 台 High-NA EUV

IT之家 12 月 9 日最新消息，据 The Elec 报道，ASML 昨日在“2022 积体电路 EUV 多样性当今世界大会”上指出，ASML 的 EUV 电子元件采购台数已经从 2019 年的 22 台增大到 2021 年的 42 台，预计今年将超过 50 台，明年采购台数将必要性增大。High-NA EUV 电子元件将于明年月内发售初始版本，出厂型号将于 2024 月内或 2025 年初发售。

在 10 月 19 日的一季度第二季度新闻稿里面，ASML 表示：“在 EUV High-NA 的业务里面，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的额外订单；现今所有的 EUV 买家都已提交 High-NA 订单。” High-NA EUV 电子元件是将集光能力的屏幕数值孔径（NA）从 0.33 提高到 0.55 的电子元件。比既有的 EUV 电子元件处理越来越简单的积体电路电路。业界大多数人看来，High-NA 电子元件对 2nm 传统工艺至关重要。

另据 etnews 报道，三星电子和 SK 海力士向光刻机巨头 ASML 订购了下一代积体电路电子元件 High-NA 极紫外光（EUV）据悉电子元件。继MOS和英特尔之后，韩国积体电路制造商也在准备引进能够借助 2nm 传统工艺的电子元件。对最高科技传统工艺的竞争预计将加剧。

IT之家了解到，High-NA EUV 电子元件比现今可用的 EUV 电子元件越来越昂贵，但它可以只用借助超简单传统工艺（单次图案化），这可以极大地提高采购力。就三星电子而言，有必要在 3nm 出厂后一早必需 High-NA EUV 电子元件用于 2nm 出厂。既有的 EUV 电子元件估计必需 2000 亿韩元（平均 10.08 亿元人民币）至 3000 亿韩元（平均 15.12 亿元人民币），而 High-NA EUV 电子元件估计必需花费 5000 亿韩元（平均 25.2 亿元人民币）。